2.2 光刻胶的选择

光刻工艺主要包括涂胶、曝光、显影、热烘四个部分，光刻胶图形主要用作湿法刻蚀的掩膜，利用化学腐蚀的方法，选择性地去除没有掩膜保护的图形区域，具有速率快、成本低、选择比高等特点，可以实现15μm甚至更小线宽的电路图形，由于正性光刻胶比负性光刻胶有更高的深宽比和图形分辨率，并且去胶方便快捷，只要在丙酮、乙醇中浸洗，脱水吹干即可；而去除负性光刻胶需配套专用剥离液，并且在水浴80℃条件下进行，最后用丙酮、乙醇浸洗。综合以上因素，本文光刻工艺中选用正性光刻胶。