1 超高瞬态LDO系统结构
为增强其瞬态响应特性、降低在轻载时的功耗，设计自适应输出的无片外电容LDO结构图，设计的超高瞬态无片外电容LDO结构主要由带隙基准电路(BG)、运算放大器、瞬态增强电路、电流取样于I/V转换电路、过温保护电路。
本文提出了瞬态增强电路：电容耦合的快速类推挽电路。因为电容是隔直流，通交流的，所以通过电容耦合的方式将高频信号传送到类推挽电路，加快类推挽电路的电压的突变以加快功率管栅极转换速率。即直接将输出电压通过电容耦合到功率管的前一级，形成类似类推挽的结构来增大功率管栅极的充放电电流。
传统LDO是由电压负反馈来进行控制的，此次设计的LDO借鉴DC-DC电源中的双环控制，即采用电压反馈环和电流反馈环进行控制。电流反馈环是由电流取样电路、I/V转化电路，运算放大器和瞬态增强电路组成。电压反馈环是由运算放大器和瞬态增强电路、功率管组成。由电流反馈环控制类推挽支路上的PMOS管，由电压反馈环控制类推挽支路上的NMOS管，通过双控制环对类推挽支路的电流进行控制。
