2.1 Pd(P)的厚度及P含量

Ho等^[11]研究了Pd(P)厚度对于SAC305/薄ENEPIG界面反应的影响。随着Pd(P)层厚度的增加，界面顶部的(Cu,Ni)₆Sn₅和Ni₃P厚度降低，然而Ni₂SnP和底部的Cu₆Sn₅(含Ni量少)厚度增加。这意味着随着Pd(P)层厚度的增加，Ni(P)更快的耗竭。因此进一步研究了界面的初期反应，Pd(P)厚度为0.3µm时，在240℃下回流10s后，界面形成了一层薄的Ni₂SnP，顶部只有少量的(Cu,Ni)₆Sn₅形成，并且在局部下方形成Cu₆Sn₅。Pd(P)厚度为0.05µm时，界面形成连续的(Cu,Ni)₆Sn₅，只存在少量的Ni₂SnP，底部Cu₆Sn₅更少。因此，在反应初期，Pd(P)厚度的增加可能导致了(Cu,Ni)₆Sn₅从连续层状形貌向不连续形貌的转变^[13]，而连续致密的(Cu,Ni)₆Sn₅能够有效抑制扩散，减缓Ni(P)层的损耗。然而，有研究发现在180℃下，Ni在Ni₂SnP中的扩散系数低于(Cu,Ni)₆Sn₅一个量级^[12]。