1. MPCVD法制备金刚石薄膜机理研究进展

产生剧烈的震荡，电子与空间内的气体分子及原子发生强烈的碰撞，以致气体离化产生-CH₃、H等活性基团^[3]。这些活性基团之间进行物理化学反应并向衬底移动，在衬底表面吸附、扩散、形核、生长，最终得到金刚石薄膜。在形核过程中，这些活性基团吸附并聚集在基底表面存在缺陷或位错的位置，当活性基团聚集的尺寸大于临界尺寸时形成稳定的晶核^[4]，随着形核率的升高将有助于金刚石薄膜的生长。生长过程中，离化产生的活性基团与基底表面还不饱和的碳原子相结合形成正四面体的SP³杂化键，随SP³杂化键连续生成及扩散，最后生成质量良好的金刚石薄膜。德国iplas公司生产的MPCVD设备，生成的纯白色金刚石薄膜，显示出很好的清晰度。