1. 硅基过滤片设计与加工：利用标准的光刻技术，在表面覆盖100~200nm的氮化硅片的正反两面先后进行光刻显影与干法刻蚀，正面光刻图形为直径10um的圆形孔阵列，背面套刻图形为边长为10mm的正方形阵列。用黑蜡涂覆硅片正面，保护正面图形，然后将硅片放入KOH溶液中，从背面正方形窗口进行湿法刻蚀。预留约80um厚的硅薄膜，再使用干法刻蚀从正面将微米级的孔阵列刻穿，最后用激光将硅片划成12mm*12mm独立的过滤片。硅基过滤片及孔间距如图1所示。硅基过滤片的孔径固定为10um，通过改变孔的边缘距离（孔间距），进而改变过滤片的通量。