研究内容具有极强的前瞻性和探索性
更新日期:2022-01-25     浏览次数:129
核心提示:2 EUV光刻的发展历程世界各国的科学家在各种项目的资助下开展了一系列研究。从图中可知,在1986-2016的30年里,EUV光刻经历了初步探索、早期研发、联

2 EUV光刻的发展历程

世界各国的科学家在各种项目的资助下开展了一系列研究。从图中可知,在1986-2016的30年里,EUV光刻经历了初步探索、早期研发、联合研发/供应商技术构建到商业化四个过程。诸多世界顶尖机构为此做出了贡献,例如日本NTT,Hitachi,Nikon,美国AT&T、三大国家实验室(劳伦斯·利弗莫尔国家实验室LLNL、桑迪亚国家实验室SNL、劳伦斯·伯克利国家实验室LBNL),欧洲的Zeiss、ASML等。这些顶尖机构的参与进一步表明EUV光刻的技术难度和强的科学探索与应用意义。EUV光刻技术难度之高,已远远超出独立机构所能解决的范围,因此大量联合研发项目或机构此起彼伏,例如日本的EUVA、ASET、SELETE,美国的EUV LLC,SEMATECH,欧洲的EUCLIDES、MEDEA+等。

2021-12-27• 正反两面先后进行光刻显影与干法刻蚀
1. 硅基过滤片设计与加工:利用标准的光刻技术,在表面覆盖100~200nm的氮化硅片的正反两面先后进行光刻显影与干法刻蚀,正面光刻图形为直径10um的圆形...
2021-08-02• 由于正性光刻胶比负性光刻胶有更高的深宽比和图
2.2 光刻胶的选择光刻工艺主要包括涂胶、曝光、显影、热烘四个部分,光刻胶图形主要用作湿法刻蚀的掩膜,利用化学腐蚀的方法,选择性地去除没有掩膜保...
2021-05-08• 光刻调焦调平测量系统算法比较研
摘要调焦调平测量系统是光刻机对焦控制的核心部件,调焦调平测量系统的数据处理精度影响光刻机的对焦控制性能,计算速度影响光刻机产能。论文通过仿真与...