1. 硅片的加工方法 加工单晶硅片通常需要经过的工艺流程主要包括：晶体生长、整形处理、 切片、倒角、研磨、腐蚀、表面处理、双面抛光、单面抛光、清洗和检查等 [1]。切片过程中有圆切割和线切割两种方式，切片的关键是将尽可能地降低损 耗，尽可能少的在硅片表面留下机械损伤。当切片完成后，硅片有比较尖利的 边缘，需要通过倒角形成子弹式的光滑的边缘，倒角后的硅片边缘有低的中心 应力，具有较好的机械强度。磨片消除切片造成的严重损伤，只留下一些均衡 的浅显的伤痕。要将这些损伤更加彻底的去除，比较有效的方法就是化学腐 蚀，包括碱腐蚀和酸腐蚀。接下来需要对硅片表面进行处理，主要包括喷砂和 背封等。对于重掺的硅片来说，会经过一个高温阶段，在硅片背面淀积一层薄 膜，能阻止掺杂剂的向外扩散。硅片抛光的目的是得到一非常光滑、平整、无 任何损伤的硅表面。硅片抛光后，表面有大量的沾污物，绝大部分是来自于抛 光过程的颗粒，需进行清洗以除去大部分的颗粒。在检查过程中，需要测试硅 片的电阻率、翘曲度、总厚度超差和平整度等，所有这些测量参数都要用无接 触方法测试，因而抛光面才不会受到损伤。