000011.1 温度补偿方案设计

考虑到温度主要影响SiPM的增益，进而使得γ中全能峰中心道址发生偏移。SiPM的工作电压和增益也存在函数关系。因此温度补偿设计的思路是建立温度与工作电压的反馈调节电路，通过温度传感器实时测量探头处温度，并动态调整工作电压，使得增益保持稳定，进而使γ谱全能峰中心道址稳定在某一参考温度下。

000011.2 探测器和设备

使用由中国科学研究院提供的的LaBr₃:Ce晶体，出厂测试25℃条件下，采用PMT光电倍增管时能量分辨率为2.89%@662keV。配置SiPM硅光电倍增管对信号进行收集和放大，LaBr₃:Ce晶体与SiPM用光学润滑脂耦合，并用铝壳封装。信号处理仪器采用的是自研的数字多道分析器，上升时间设置为0.75，道数为1024道。