对接生长技术在复杂单片光子集成芯片中的应用研究为王赛男最新的研究成果，本论文的主要观点为主要研究了对接生长技术的优化工艺及其在光子集成器件中的应用。针对不同对接生长前处理工艺过程做了一系列实验，结果表明：纯干法刻蚀的前处理过程会在对接生长的位置处产生位错，同时在对接界面处产生一个突起；由于钻蚀严重，纯湿法腐蚀前处理过程会在对接界面处产生空洞；而采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的前处理工艺，能够得到好的对接界面，即通过测试对接材料的光致发光谱发现其峰值强度较强，表明对接生长的材料有较好的晶格质量。尔后，利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法进行了复杂的对接生长实验。利用共面法布里波罗激光器测试得到对接波导的光学损耗为7dB/cm，表明该方法能够得到高质量的对接生长波导，可用于高性能复杂PIC芯片的制造。。现欲投半导体技术，不知是否符合录用要求，望您批评与指正。