实验采用的样品为850 nm多模VCSEL，根据实验样品的扫描透射电镜（Scanning Transmission Electron Microscopy，STEM）测试结果获得该款器件的结构参数如下，最底层为n型GaAs衬底，上下DBR对数分别为20.5和38.5对，有源区为3个量子阱结构。在此结构上我们使用Silvaco软件进行建模，其中上下DBR部分分别使用2×10¹⁸ cm^-3的p型和n型掺杂，相邻DBR高低折射率材料的组分及厚度分别为Al_0.9Ga_0.1As/39 nm，Al_0.12Ga_0.88As/50 nm，在相邻折射率材料之间使用20 nm的组分渐变层过渡。有源区无掺杂，分别使用GaAs/8 nm，Al_0.3Ga_0.7As/8 m作为发光层和包覆层。顶部设置5 nm 1×10¹⁹ cm^-3重掺杂作欧姆接触。氧化限制层使用Al₂O₃并设置了6 um的氧化孔径。模型结构如图1(a)所示，图1(b)为器件工作时量子阱区域部分放大图。实际测试得该器件的最佳工作电流为25mA，峰值光功率为18mW。