《低温氧等离子体清洗硅片研究》为作者：何叶最新的研究成果，本论文的主要观点为摘要：采用气体电离放电方法将氧离解、电离、离解电离成O、O-、O+、O(1D)和O2(a1∆g)等低温氧等离子体，其中O-和O2(a1∆g)活性粒子进一步反应形成浓度高达316 mg/L O3，再用强激励方法把高浓度O3高效率溶于含有微量的HF超净水中形成高浓度臭氧超净水。实验结果表明，当强电离放电电场强度为104 kV/cm，放电功率为800 W，形成臭氧超净水反应时间为1 min时，臭氧超净水浓度达到62。4 mg/L。用其清洗一次就去除硅片表面的Cu、Fe、Ca、Ni、Ti等金属颗粒物效率分别达到98。4%、95。2%、88。4%、85。2%、64。1%。可见，采用低温氧等离子体方法制备高浓度臭氧超净水可满足硅片清洗要