氧活性粒子清洗硅片表面颗粒污染物研究

摘要：采用气体电离放电方法将氧离解、电离，离解电离成O、O^-、O⁺、O(¹D)和O₂(a¹∆g)等低温氧等离子体，其中O^-和O₂(a¹∆g) 活性粒子进一步反应形成浓度高达316 mg/L O₃，再用强激励方法把高浓度O₃高效率溶于含有微量HF的超净水中，进而形成高浓度臭氧超净水。实验结果表明，当强电离放电电场强度为98 kV/cm，放电功率达到800 W，形成臭氧超净水反应时间仅为1 min时，臭氧超净水浓度就达到62.4 mg/L。仅用1 min清洗就去除硅片表面的Cu、Fe、Ca、Ni、Ti等金属颗粒物效率分别达到98.4%、95.2%、88.4%、85.2%、64.1%。可见，采用低温等离子体方法制备的高浓度臭氧超净水可达到现代电子工业对硅片清洗要求。

关键词：氧活性粒子；臭氧；臭氧超净水；颗粒污染物